Infineon Technologies - FS200R07N3E4RBOSA1

KEY Part #: K6533310

FS200R07N3E4RBOSA1 価格設定(USD) [583個在庫]

  • 1 pcs$79.59575

品番:
FS200R07N3E4RBOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 600V 200A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS200R07N3E4RBOSA1 製品の属性

品番 : FS200R07N3E4RBOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 600V 200A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 200A
パワー-最大 : 600W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.95V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 13nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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