1N5551US 価格設定（USD） [6489個在庫]
- 1 pcs$5.91419
- 10 pcs$5.37698
- 25 pcs$4.97374
- 100 pcs$4.57046
- 250 pcs$4.16715
- 500 pcs$3.89831
- 品番:
- 1N5551US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 3A D5B. Rectifiers Rectifier
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation 1N5551US electronic components. 1N5551US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5551US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5551US 製品の属性
品番 :
1N5551US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.2V @ 9A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2µs
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5B
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A