GeneSiC Semiconductor - MSRTA6001

KEY Part #: K6473623

MSRTA6001 価格設定（USD） [880個在庫]

1 pcs$55.16653
25 pcs$54.89207

品番:: MSRTA6001

メーカー:: GeneSiC Semiconductor

詳細な説明:: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRTA6001 electronic components. MSRTA6001 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRTA6001, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

MSRTA6001 製品の属性

品番 : MSRTA6001

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : -

ダイオードタイプ : -

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1600V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 600A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : -

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : -

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : 3-SMD Module

サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower

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