GeneSiC Semiconductor - MBR60035CTR

KEY Part #: K6468548

MBR60035CTR 価格設定(USD) [969個在庫]

  • 1 pcs$47.90423
  • 25 pcs$37.09736

品番:
MBR60035CTR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 35P/25R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR60035CTR 製品の属性

品番 : MBR60035CTR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 300A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 750mV @ 300A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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