Vishay Semiconductor Diodes Division - ESH3BHE3/9AT

KEY Part #: K6447554

[1384個在庫]


    品番:
    ESH3BHE3/9AT
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH3BHE3/9AT electronic components. ESH3BHE3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3BHE3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ESH3BHE3/9AT 製品の属性

    品番 : ESH3BHE3/9AT
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
    電流-平均整流(Io) : 3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 900mV @ 3A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 40ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • MA3X78600L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

    • MA3X74800L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 8EWS12S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • 50WQ06FNTRR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.