ON Semiconductor - NGTB15N60S1EG

KEY Part #: K6422955

NGTB15N60S1EG 価格設定(USD) [57375個在庫]

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品番:
NGTB15N60S1EG
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 600V 30A 117W TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB15N60S1EG 製品の属性

品番 : NGTB15N60S1EG
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 600V 30A 117W TO220-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 30A
電流-パルスコレクター(Icm) : 120A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.7V @ 15V, 15A
パワー-最大 : 117W
スイッチングエネルギー : 550µJ (on), 350µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 88nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 65ns/170ns
試験条件 : 400V, 15A, 22 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 270ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220

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