NVMFS5826NLWFT1G 価格設定（USD） [3008個在庫]
- 1,500 pcs$0.18787
- 品番:
- NVMFS5826NLWFT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS5826NLWFT1G electronic components. NVMFS5826NLWFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5826NLWFT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS5826NLWFT1G 製品の属性
品番 :
NVMFS5826NLWFT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
24 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
850pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.6W (Ta), 39W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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