Toshiba Semiconductor and Storage - HN3C10FUTE85LF

KEY Part #: K6463970

[9991個在庫]


    品番:
    HN3C10FUTE85LF
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN3C10FUTE85LF 製品の属性

    品番 : HN3C10FUTE85LF
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    トランジスタータイプ : 2 NPN (Dual)
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 12V
    頻度-遷移 : 7GHz
    雑音指数(dB Typ @ f) : 1.1dB @ 1GHz
    利得 : 11.5dB
    パワー-最大 : 200mW
    DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 80 @ 20mA, 10V
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 80mA
    動作温度 : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    サプライヤーデバイスパッケージ : US6

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