BSP51H6327XTSA1 価格設定（USD） [622976個在庫]
- 1 pcs$0.05937
- 品番:
- BSP51H6327XTSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSP51H6327XTSA1 electronic components. BSP51H6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP51H6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP51H6327XTSA1 製品の属性
品番 :
BSP51H6327XTSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223
シリーズ :
-
部品ステータス :
Last Time Buy
トランジスタータイプ :
NPN - Darlington
電流-コレクター（Ic）（最大） :
1A
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
60V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
1.8V @ 1mA, 1A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
10µA
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
2000 @ 500mA, 10V
パワー-最大 :
1.5W
頻度-遷移 :
200MHz
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
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