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ON Semiconductor - FQPF9P25YDTU

KEY Part #: K6399285

FQPF9P25YDTU 価格設定（USD） [91763個在庫]

  • 1 pcs$0.56693
  • 800 pcs$0.56410
品番:
FQPF9P25YDTU
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 250V 6A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQPF9P25YDTU electronic components. FQPF9P25YDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF9P25YDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF9P25YDTU 製品の属性

品番 : FQPF9P25YDTU
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 250V 6A
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 620 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1180pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 50W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F-3 (Y-Forming)
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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