現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. AS4C4M32D1A-5BINTR

Alliance Memory, Inc. - AS4C4M32D1A-5BINTR

KEY Part #: K940804

AS4C4M32D1A-5BINTR 価格設定（USD） [32144個在庫]

  • 1 pcs$1.43267
  • 1,500 pcs$1.42555
品番:
AS4C4M32D1A-5BINTR
メーカー:
Alliance Memory, Inc.
詳細な説明:
IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA. DRAM DDR1, 128M, 2.5V 200MHz,4M x 32
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、クロック/タイミング-プログラマブルタイマーとオシレーター, PMIC-バッテリー充電器, クロック/タイミング-クロックバッファー、ドライバー, クロック/タイミング-ICバッテリー, 組み込み-マイクロコントローラー, ロジック-トランスレーター、レベルシフター, ロジック-カウンター、ディバイダー and PMIC-レーザードライバーを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C4M32D1A-5BINTR electronic components. AS4C4M32D1A-5BINTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C4M32D1A-5BINTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C4M32D1A-5BINTR 製品の属性

品番 : AS4C4M32D1A-5BINTR
メーカー : Alliance Memory, Inc.
説明 : IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR
メモリー容量 : 128Mb (4M x 32)
クロック周波数 : 200MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 12ns
アクセス時間 : 700ps
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 2.3V ~ 2.7V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 144-LFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 144-LFBGA (12x12)

最新ニュース

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
あなたも興味があるかもしれません
  • 25AA1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • DS24B33S+

    Maxim Integrated

    IC EEPROM 4K 1WIRE 8SO. EEPROM 1-Wire 4kbit EEPROM

  • CY62256NLL-70PXC

    Alliance Memory, Inc.

    256M SRAM 28 DIP. SRAM 256K 32K x 8 4.5-5.5V 28pin 600mil DIP Commercial (0 70 C) Low Power Asynch

  • AS6C62256A-70SCN

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM

  • AT28BV64B-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS IND TEMP GRN PKG

ホットパーツ