NXP USA Inc. - A2G35S160-01SR3

KEY Part #: K6466587

A2G35S160-01SR3 価格設定(USD) [802個在庫]

  • 1 pcs$57.85920

品番:
A2G35S160-01SR3
メーカー:
NXP USA Inc.
詳細な説明:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in NXP USA Inc. A2G35S160-01SR3 electronic components. A2G35S160-01SR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2G35S160-01SR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2G35S160-01SR3 製品の属性

品番 : A2G35S160-01SR3
メーカー : NXP USA Inc.
説明 : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : LDMOS
周波数 : 3.4GHz ~ 3.6GHz
利得 : 15.7dB
電圧-テスト : 48V
定格電流 : -
雑音指数 : -
電流-テスト : 190mA
電力出力 : 51dBm
電圧-定格 : 125V
パッケージ/ケース : NI-400S-2S
サプライヤーデバイスパッケージ : NI-400S-2S

あなたも興味があるかもしれません
  • NPTB00004A

    M/A-Com Technology Solutions

    HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC.

  • 2SK3079ATE12LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSF RF N CH 10V PW-X.

  • LET9045S

    STMicroelectronics

    TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A.

  • PD55025S-E

    STMicroelectronics

    FET RF 40V 500MHZ PWRSO10.

  • PD57006S-E

    STMicroelectronics

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10.

  • PD57030S-E

    STMicroelectronics

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10.