Infineon Technologies - FF600R12KE4EBOSA1

KEY Part #: K6532506

FF600R12KE4EBOSA1 価格設定(USD) [470個在庫]

  • 1 pcs$98.85828

品番:
FF600R12KE4EBOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOD IGBT MED PWR 62MM-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies FF600R12KE4EBOSA1 electronic components. FF600R12KE4EBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF600R12KE4EBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF600R12KE4EBOSA1 製品の属性

品番 : FF600R12KE4EBOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOD IGBT MED PWR 62MM-1
シリーズ : C
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 600A
パワー-最大 : -
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.2V @ 15V, 600A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 38nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.