GeneSiC Semiconductor - MBR2X050A080

KEY Part #: K6468468

MBR2X050A080 価格設定(USD) [3356個在庫]

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  • 40 pcs$8.92594

品番:
MBR2X050A080
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227. Schottky Diodes & Rectifiers 80V 100A Fwd Schottky
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR2X050A080 electronic components. MBR2X050A080 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR2X050A080, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR2X050A080 製品の属性

品番 : MBR2X050A080
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 2 Independent
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 80V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 50A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 840mV @ 50A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 80V
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227