JANTXV1N5811US 価格設定（USD） [6394個在庫]
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- 品番:
- JANTXV1N5811US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HRV SM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5811US electronic components. JANTXV1N5811US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5811US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTXV1N5811US 製品の属性
品番 :
JANTXV1N5811US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
150V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
875mV @ 4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
30ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 150V
静電容量@ Vr、F :
60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ :
B, SQ-MELF
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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