IXDI602SITR 価格設定（USD） [111629個在庫]
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- 2,000 pcs$0.40894
- 品番:
- IXDI602SITR
- 詳細な説明:
- 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT. Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ロジック-フリップフロップ, 組み込み-マイクロコントローラー-アプリケーション固有, PMIC-電圧レギュレータ-リニア, PMIC-現在の規制/管理, PMIC-熱管理, PMIC-バッテリー充電器, PMIC-エネルギー計測 and PMIC-レーザードライバーを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS Integrated Circuits Division IXDI602SITR electronic components. IXDI602SITR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXDI602SITR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXDI602SITR 製品の属性
品番 :
IXDI602SITR
メーカー :
IXYS Integrated Circuits Division
説明 :
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
駆動構成 :
Low-Side
チャンネルタイプ :
Independent
ドライバー数 :
2
門型 :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧-供給 :
4.5V ~ 35V
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 3V
電流-ピーク出力（ソース、シンク） :
2A, 2A
入力方式 :
Inverting
ハイサイド電圧-最大（ブートストラップ） :
-
立ち上がり/立ち下がり時間（標準） :
7.5ns, 6.5ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC-EP
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