BAV170HMFHT116 価格設定（USD） [2033073個在庫]
- 1 pcs$0.01819
- 品番:
- BAV170HMFHT116
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- SWITCHING DIODE LOW LEAKAGE. Diodes - General Purpose, Power, Switching 90VVrm 80V Vr 0.215A Io 150mA
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor BAV170HMFHT116 electronic components. BAV170HMFHT116 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV170HMFHT116, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV170HMFHT116 製品の属性
品番 :
BAV170HMFHT116
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
SWITCHING DIODE LOW LEAKAGE
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
80V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
215mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 150mA
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
3µs
電流-Vrでの逆漏れ :
5nA @ 75V
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SSD3
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