Microsemi Corporation - 1N6622US

KEY Part #: K6426013

1N6622US 価格設定(USD) [8145個在庫]

  • 1 pcs$7.31121
  • 10 pcs$6.64487
  • 25 pcs$6.14653
  • 100 pcs$5.64814

品番:
1N6622US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N6622US electronic components. 1N6622US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6622US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6622US 製品の属性

品番 : 1N6622US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 660V
電流-平均整流(Io) : 1.2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.4V @ 1.2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 660V
静電容量@ Vr、F : 10pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : A-MELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • MBRD380TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 80V 3A DPAK.

  • MBRD3100TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DPAK.

  • MBRD330TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK.

  • SDURD1520TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 200V 15A DPAK.

  • MBRD3150TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 150V 3A DPAK.

  • MBRD340TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK.