ESH3BHE3_A/I 価格設定（USD） [331777個在庫]
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- 品番:
- ESH3BHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 100V 3.0A 25ns Glass Passivated
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH3BHE3_A/I electronic components. ESH3BHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3BHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ESH3BHE3_A/I 製品の属性
品番 :
ESH3BHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
900mV @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
40ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
70pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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