GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

詳細な説明:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CT electronic components. MBR600200CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MBR600200CT

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode

ダイオードタイプ : Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 200V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 300A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 920mV @ 300A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 3mA @ 200V

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Twin Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower

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