メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
ダイオード構成 :
1 Pair Common Cathode
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) :
300A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If :
920mV @ 300A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
サプライヤーデバイスパッケージ :
Twin Tower