Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETF04STRRPBF

KEY Part #: K6443068

VS-10ETF04STRRPBF 価格設定(USD) [2918個在庫]

  • 800 pcs$0.90671

品番:
VS-10ETF04STRRPBF
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETF04STRRPBF electronic components. VS-10ETF04STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETF04STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETF04STRRPBF 製品の属性

品番 : VS-10ETF04STRRPBF
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 10A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 200ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB (D²PAK)
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-50WQ04FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ04FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ04FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

  • VS-30WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY DPAK.

  • VS-20WT04FNTRR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A DPAK.

  • VS-20WT04FNTRL

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A DPAK.