IDW10G120C5BFKSA1 価格設定（USD） [9194個在庫]
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- 500 pcs$2.69197
- 1,000 pcs$2.34462
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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IDW10G120C5BFKSA1 製品の属性
品番 :
IDW10G120C5BFKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
17A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.65V @ 5A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
40µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO247-3-41
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