現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR

Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR

KEY Part #: K937818

MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR 価格設定（USD） [18150個在庫]

  • 1 pcs$2.66822
  • 1,000 pcs$2.65494
品番:
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
メーカー:
Micron Technology Inc.
詳細な説明:
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、インターフェース-モデム-ICおよびモジュール, クロック/タイミング-ICバッテリー, オーディオの特別な目的, PMIC-電圧レギュレータ-DC DCスイッチングレギュレータ, PMIC-照明、バラストコントローラ, クロック/タイミング-クロックバッファー、ドライバー, PMIC-現在の規制/管理 and データ収集-デジタルポテンショメータを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR electronic components. MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR 製品の属性

品番 : MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
メーカー : Micron Technology Inc.
説明 : IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Non-Volatile
メモリフォーマット : FLASH
技術 : FLASH - NAND
メモリー容量 : 4Gb (512M x 8)
クロック周波数 : -
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : -
アクセス時間 : -
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 2.7V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 63-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 63-VFBGA (9x11)

最新ニュース

Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron LPDRAM
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron NAND-Based MCP
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron NAND Flash
あなたも興味があるかもしれません
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W97AH6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C

ホットパーツ