メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC DVR HI SIDE 600V 500MA 8-SOIC
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
500mA, 500mA
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
80ns, 80ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)