NSF8GTHE3_A/P 価格設定（USD） [128710個在庫]
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- 品番:
- NSF8GTHE3_A/P
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC. Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSF8GTHE3_A/P electronic components. NSF8GTHE3_A/P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSF8GTHE3_A/P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSF8GTHE3_A/P 製品の属性
品番 :
NSF8GTHE3_A/P
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 8A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
55pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2 Insulated, TO-220AC
サプライヤーデバイスパッケージ :
ITO-220AC
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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