GeneSiC Semiconductor - MBRT120200R

KEY Part #: K6468619

MBRT120200R 価格設定(USD) [1746個在庫]

  • 1 pcs$24.78775
  • 50 pcs$18.86706

品番:
MBRT120200R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRT120200R electronic components. MBRT120200R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRT120200R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRT120200R 製品の属性

品番 : MBRT120200R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 60A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 920mV @ 60A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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