Vishay Semiconductor Diodes Division - 3N259-E4/51

KEY Part #: K6541811

[4064個在庫]


    品番:
    3N259-E4/51
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 3N259-E4/51 electronic components. 3N259-E4/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 3N259-E4/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    3N259-E4/51 製品の属性

    品番 : 3N259-E4/51
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Single Phase
    技術 : Standard
    電圧-ピーク逆方向(最大) : 1kV
    電流-平均整流(Io) : 2A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 3.14A
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 1000V
    動作温度 : -55°C ~ 165°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : 4-SIP, KBPM
    サプライヤーデバイスパッケージ : KBPM

    あなたも興味があるかもしれません
    • E-L6210

      STMicroelectronics

      BRIDGE RECT 1P 50V 2A 16DIP.

    • GBPC15005W/1

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 50V 15A GBPC-W.

    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • PBPC1007

      Diodes Incorporated

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A PBPC-8.

    • PBPC1001

      Diodes Incorporated

      BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A PBPC-8.