メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 2.2V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
250mA, 500mA
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
80ns, 40ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
28-DIP (0.600", 15.24mm)
サプライヤーデバイスパッケージ :
28-PDIP