IPD60R600E6 価格設定（USD） [149703個在庫]
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- 品番:
- IPD60R600E6
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD60R600E6 electronic components. IPD60R600E6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R600E6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD60R600E6 製品の属性
品番 :
IPD60R600E6
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
440pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
63W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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