Rohm Semiconductor - RGTV60TS65DGC11

KEY Part #: K6422884

RGTV60TS65DGC11 価格設定(USD) [16849個在庫]

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品番:
RGTV60TS65DGC11
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGTV60TS65DGC11 製品の属性

品番 : RGTV60TS65DGC11
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 60A
電流-パルスコレクター(Icm) : 120A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.9V @ 15V, 30A
パワー-最大 : 194W
スイッチングエネルギー : 570µJ (on), 500µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 64nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 33ns/105ns
試験条件 : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 95ns
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247N

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