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GeneSiC Semiconductor - 1N3891

KEY Part #: K6440387

1N3891 価格設定（USD） [10045個在庫]

  • 1 pcs$2.90862
  • 10 pcs$2.61820
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  • 250 pcs$1.97834
  • 500 pcs$1.80379
  • 1,000 pcs$1.57104
品番:
1N3891
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 12A DO4. Rectifiers 200V 12A Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3891 electronic components. 1N3891 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3891, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3891 製品の属性

品番 : 1N3891
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 200V
電流-平均整流（Io） : 12A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.4V @ 12A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 200ns
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C
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