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GeneSiC Semiconductor - 1N3891

KEY Part #: K6440387

1N3891 価格設定（USD） [10045個在庫]

  • 1 pcs$2.90862
  • 10 pcs$2.61820
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  • 1,000 pcs$1.57104
品番:
1N3891
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 12A DO4. Rectifiers 200V 12A Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3891 electronic components. 1N3891 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3891, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3891 製品の属性

品番 : 1N3891
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 200V
電流-平均整流（Io） : 12A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.4V @ 12A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 200ns
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C
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