SE10DGHM3/I 価格設定（USD） [231947個在庫]
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- 品番:
- SE10DGHM3/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC. Rectifiers 10A 400V AEC-Q101 ESD Rectifr
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE10DGHM3/I electronic components. SE10DGHM3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE10DGHM3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE10DGHM3/I 製品の属性
品番 :
SE10DGHM3/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, eSMP®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.15V @ 10A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
3µs
電流-Vrでの逆漏れ :
15µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
67pF @4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AC (SMPD)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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