Infineon Technologies - FS100R12KT4B11BOSA1

KEY Part #: K6533321

[873個在庫]


    品番:
    FS100R12KT4B11BOSA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    IGBT FS100R12KT4B11BOSA1.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies FS100R12KT4B11BOSA1 electronic components. FS100R12KT4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS100R12KT4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS100R12KT4B11BOSA1 製品の属性

    品番 : FS100R12KT4B11BOSA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : IGBT FS100R12KT4B11BOSA1
    シリーズ : *
    部品ステータス : Obsolete
    IGBTタイプ : Trench Field Stop
    構成 : Three Phase Inverter
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 100A
    パワー-最大 : 515W
    Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 100A
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
    入力容量(Cies)@ Vce : 6.3nF @ 25V
    入力 : Standard
    NTCサーミスタ : No
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : Module
    サプライヤーデバイスパッケージ : Module

    あなたも興味があるかもしれません
    • VS-ETL015Y120H

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

    • CPV364M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2.

    • APT85GR120JD60

      Microsemi Corporation

      IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

    • MG06400D-BN4MM

      Littelfuse Inc.

      IGBT 600V 500A 1250W PKG D.

    • MG1275W-XBN2MM

      Littelfuse Inc.

      IGBT MOD 1200V 75A PKG W CRCTXB.

    • MG06150S-BN4MM

      Littelfuse Inc.

      IGBT 600V 225A 500W PKG S.