Vishay Semiconductor Diodes Division - SS3H10HE3_B/H

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品番:
SS3H10HE3_B/H
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB. Schottky Diodes & Rectifiers 3A 100V H. Barrier Sky Rect.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS3H10HE3_B/H 製品の属性

品番 : SS3H10HE3_B/H
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 800mV @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 20µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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