ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400E-6BLI

KEY Part #: K936372

IS43R86400E-6BLI 価格設定（USD） [14129個在庫]

1 pcs$3.24309

品番:: IS43R86400E-6BLI

メーカー:: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

詳細な説明:: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8, IT

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ロジック-マルチバイブレーター, PMIC-パワーオーバーイーサネット（PoE）コントローラー, PMIC-電圧レギュレータ-DC DCスイッチングレギュレータ, インターフェース-モデム-ICおよびモジュール, リニア-アンプ-ビデオアンプおよびモジュール, 組み込み-システムオンチップ（SoC）, リニア-アンプ-オーディオ and データ収集-ADC / DAC-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6BLI electronic components. IS43R86400E-6BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400E-6BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

IS43R86400E-6BLI 製品の属性

品番 : IS43R86400E-6BLI

メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

説明 : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

シリーズ : -

部品ステータス : Active

メモリタイプ : Volatile

メモリフォーマット : DRAM

技術 : SDRAM - DDR

メモリー容量 : 512Mb (64M x 8)

クロック周波数 : 166MHz

書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns

アクセス時間 : 700ps

メモリインターフェース : Parallel

電圧-供給 : 2.3V ~ 2.7V

動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 60-TFBGA

サプライヤーデバイスパッケージ : 60-TFBGA (13x8)

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