Vishay Semiconductor Diodes Division - V30100S-E3/4W

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V30100S-E3/4W 価格設定(USD) [53747個在庫]

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品番:
V30100S-E3/4W
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
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ISO-45001-2018

V30100S-E3/4W 製品の属性

品番 : V30100S-E3/4W
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB
シリーズ : TMBS®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 30A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 910mV @ 30A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

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