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Microsemi Corporation - JAN1N5619

KEY Part #: K6427659

JAN1N5619 価格設定（USD） [15317個在庫]

  • 1 pcs$3.63577
  • 10 pcs$3.27220
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  • 100 pcs$2.69047
  • 250 pcs$2.47233
  • 500 pcs$2.25418
  • 1,000 pcs$1.96332
品番:
JAN1N5619
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL. Zener Diodes D MET 1A FAST 600V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5619 electronic components. JAN1N5619 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5619, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5619 製品の属性

品番 : JAN1N5619
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/429
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.6V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 250ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 800V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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