VS-2EGH02HM3_A/I 価格設定（USD） [499899個在庫]
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- 品番:
- VS-2EGH02HM3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers Freds 200V - SMB-e3
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-2EGH02HM3_A/I electronic components. VS-2EGH02HM3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-2EGH02HM3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-2EGH02HM3_A/I 製品の属性
品番 :
VS-2EGH02HM3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
900mV @ 2A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ :
SMB (DO-214AA)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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ホットパーツ
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- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
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