IGC50T120T8RQX1SA1 価格設定（USD） [8666個在庫]
- 1 pcs$4.75515
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 50A DIE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IGC50T120T8RQX1SA1 electronic components. IGC50T120T8RQX1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGC50T120T8RQX1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IGC50T120T8RQX1SA1 製品の属性
品番 :
IGC50T120T8RQX1SA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 1200V 50A DIE
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
-
電流-パルスコレクター（Icm） :
150A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.42V @ 15V, 50A
パワー-最大 :
-
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
-
Td（オン/オフ）@ 25°C :
-
試験条件 :
-
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
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