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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400E-3DBLI

KEY Part #: K936605

IS43DR86400E-3DBLI 価格設定（USD） [14583個在庫]

  • 1 pcs$3.73714
品番:
IS43DR86400E-3DBLI
メーカー:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
詳細な説明:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、PMIC-PFC（力率補正）, ロジック-シフトレジスタ, PMIC-照明、バラストコントローラ, データ収集-アナログフロントエンド（AFE）, PMIC-エネルギー計測, PMIC-ホットスワップコントローラー, リニア-アンプ-ビデオアンプおよびモジュール and ロジック-ラッチを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI electronic components. IS43DR86400E-3DBLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400E-3DBLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400E-3DBLI 製品の属性

品番 : IS43DR86400E-3DBLI
メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR2
メモリー容量 : 512Mb (64M x 8)
クロック周波数 : 333MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 450ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.9V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 60-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 60-TWBGA (8x10.5)

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