メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) :
120A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If :
2.35V @ 120A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
電流-Vrでの逆漏れ :
25µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227