Alliance Memory, Inc. - AS4C2M32S-6BINTR

KEY Part #: K939989

AS4C2M32S-6BINTR 価格設定(USD) [27681個在庫]

  • 1 pcs$1.65544
  • 2,000 pcs$1.59297

品番:
AS4C2M32S-6BINTR
メーカー:
Alliance Memory, Inc.
詳細な説明:
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, 3.3V, 2M x 32 SDRAM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、リニア-アンプ-オーディオ, インターフェース-シグナルターミネーター, オーディオの特別な目的, PMIC-電源コントローラー、モニター, クロック/タイミング-遅延線, インターフェース-センサー、静電容量式タッチ, 組み込み-CPLD(複雑なプログラマブルロジックデバイス) and ロジック-シフトレジスタを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6BINTR electronic components. AS4C2M32S-6BINTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C2M32S-6BINTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C2M32S-6BINTR 製品の属性

品番 : AS4C2M32S-6BINTR
メーカー : Alliance Memory, Inc.
説明 : IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM
メモリー容量 : 64Mb (2M x 32)
クロック周波数 : 166MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 2ns
アクセス時間 : 5.4ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 3V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 90-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 90-TFBGA (8x13)

あなたも興味があるかもしれません
  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • 6116LA25SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116LA20SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • MD56V62160M-7TAZ0AX

    Rohm Semiconductor

    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP.