説明 :
IC GATE DVR HI/LOW SIDE 8SOIC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q100
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
1.2V, 2.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
4.5A, 4.5A
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
25ns, 20ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)