HN4B01JE(TE85L,F) 価格設定（USD） [1309823個在庫]
- 1 pcs$0.02824
- 詳細な説明:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE(TE85L,F) electronic components. HN4B01JE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN4B01JE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN4B01JE(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
HN4B01JE(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN, PNP (Emitter Coupled)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
150mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 10mA, 100mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
120 @ 10MA, 100MA
パワー-最大 :
100mW
頻度-遷移 :
80MHz
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-553
サプライヤーデバイスパッケージ :
ESV
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- ZXTDC3M832TA
- UP04501G0L
- MMDT4146-7
- MMDT4126-7
- ULN2003D1
- ZDT758TC
- BC847BS/ZLF
- BC847BPN/ZLF
- BC856BS/DG/B2,115
- BC847BS/DG/B2,115
- BC846S/DG/B2,115
- MD984
- 2N4015
- 2N2644
- BC846BS/ZLX
- BCM857BS/ZLF
- 2SA1708T-YMH-AN
- MCH6536-TL-E
- JAN2N3810
- 2SA1618-GR(TE85L,F
- CPH6539-TL-H
- MCH6542-TL-E
- ULN2003AFWG,O,N,E
- BC858CDW1T1G
- BC846SE6433BTMA1
- ZXTD6717E6TC
- ZDT649TC
- BC858CDXV6T5G
- ZXTDE4M832TA
- MMDT4124-7
- XP0240100L
- XN0555300L
- XN0150400L
- XN0150100L
- ZDT6757TA
- PMP4201G,135
- ZDT749TA
- QS6Z5TR
- QSX7TR
- EMZ2T2R