HN4B01JE(TE85L,F) 価格設定（USD） [1309823個在庫]
- 1 pcs$0.02824
- 詳細な説明:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE(TE85L,F) electronic components. HN4B01JE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN4B01JE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN4B01JE(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
HN4B01JE(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN, PNP (Emitter Coupled)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
150mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 10mA, 100mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
120 @ 10MA, 100MA
パワー-最大 :
100mW
頻度-遷移 :
80MHz
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-553
サプライヤーデバイスパッケージ :
ESV
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