Vishay Semiconductor Diodes Division - BAW27-TR

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品番:
BAW27-TR
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAW27-TR 製品の属性

品番 : BAW27-TR
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 60V
電流-平均整流(Io) : 600mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 400mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 6ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 60V
静電容量@ Vr、F : 4pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

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