BAW27-TR 価格設定（USD） [3340050個在庫]
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- 品番:
- BAW27-TR
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAW27-TR electronic components. BAW27-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAW27-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAW27-TR 製品の属性
品番 :
BAW27-TR
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
60V
電流-平均整流（Io） :
600mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 400mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
6ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 60V
静電容量@ Vr、F :
4pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-35
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
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