Microsemi Corporation - APT25GR120S

KEY Part #: K6421741

APT25GR120S 価格設定(USD) [11014個在庫]

  • 1 pcs$3.74154
  • 10 pcs$3.36651
  • 25 pcs$3.06727
  • 100 pcs$2.76799
  • 250 pcs$2.54354
  • 500 pcs$2.31912
  • 1,000 pcs$2.01988

品番:
APT25GR120S
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT25GR120S electronic components. APT25GR120S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT25GR120S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT25GR120S 製品の属性

品番 : APT25GR120S
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 75A
電流-パルスコレクター(Icm) : 100A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.2V @ 15V, 25A
パワー-最大 : 521W
スイッチングエネルギー : 742µJ (on), 427µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 203nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 16ns/122ns
試験条件 : 600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
サプライヤーデバイスパッケージ : D3Pak

あなたも興味があるかもしれません
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • FDV301N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.

  • SSM3J325F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.

  • BSS123NH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.

  • BSS7728NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.