[2105個在庫]
- 品番:
- TK12Q60W,S1VQ
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W,S1VQ electronic components. TK12Q60W,S1VQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK12Q60W,S1VQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK12Q60W,S1VQ 製品の属性
品番 :
TK12Q60W,S1VQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
シリーズ :
DTMOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
340 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.7V @ 600µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
890pF @ 300V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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