ON Semiconductor - FQA7N80C-F109

KEY Part #: K6398644

FQA7N80C-F109 価格設定(USD) [30069個在庫]

  • 1 pcs$1.37058

品番:
FQA7N80C-F109
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQA7N80C-F109 製品の属性

品番 : FQA7N80C-F109
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1680pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 198W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PN
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

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