C2M0080170P 価格設定（USD） [2568個在庫]
- 1 pcs$16.86412
- 品番:
- C2M0080170P
- メーカー:
- Cree/Wolfspeed
- 詳細な説明:
- ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C2M0080170P electronic components. C2M0080170P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C2M0080170P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C2M0080170P 製品の属性
品番 :
C2M0080170P
メーカー :
Cree/Wolfspeed
説明 :
ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS
シリーズ :
C2M™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
20V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
125 mOhm @ 28A, 20V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 10mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
120nC @ 20V
Vgs（最大） :
+25V, -10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2250pF @ 1000V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
277W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-4L
パッケージ/ケース :
TO-247-4
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