GeneSiC Semiconductor - MBR30035CT

KEY Part #: K6468898

詳細な説明:: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 300A Schottky Recovery

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR30035CT electronic components. MBR30035CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR30035CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MBR30035CT

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode

ダイオードタイプ : Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 35V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 200A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 650mV @ 150A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 8mA @ 20V

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Twin Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower

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